Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRFH3702TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.316
IRFH3702TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.150
IRFH3707TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.286
IRFH3707TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.916
IRFH4201TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.236
IRFH4209DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: FASTIRFET™, HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Ta), 260A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4620pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.964
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4812pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.132
IRFH4210TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4812pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.280
IRFH4213DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3520pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.948
IRFH4213TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3420pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.380
IRFH4226TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6 Produttore: Infineon Technologies Serie: FASTIRFET™, HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.4W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.762
IRFH4234TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 22A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 27W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.586
IRFH5004TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.310
IRFH5004TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4490pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.316
IRFH5006TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4175pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.886
IRFH5006TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4175pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.002
IRFH5007TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.848
IRFH5007TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.484
IRFH5010TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.006
IRFH5010TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.498
IRFH5015TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.202
IRFH5015TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.248
IRFH5020TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.128
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.058
IRFH5025TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.430
IRFH5025TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.382
IRFH5053TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.570
IRFH5053TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Single Die Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.542
IRFH5104TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 24A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile8.280
IRFH5104TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 24A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VQFN Exposed Pad	Disponibile8.550

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