Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF6662TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile5.328
IRF6665 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SH Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SH	Disponibile2.952
IRF6665TR1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SH Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SH	Disponibile8.460
IRF6665TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SH Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SH	Disponibile8.190
IRF6665TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SH Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SH	Disponibile7.182
IRF6668TR1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile7.074
IRF6668TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile5.346
IRF6668TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile7.380
IRF6674TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Ta), 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile3.546
IRF6674TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Ta), 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.6W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MZ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MZ	Disponibile32.772
IRF6678 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5640pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile2.502
IRF6678TR1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5640pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile8.874
IRF6678TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5640pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile3.438
IRF6678TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5640pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MX	Disponibile6.408
IRF6691TR1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 180A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6580pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MT Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MT	Disponibile8.910
IRF6691TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 180A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6580pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MT Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MT	Disponibile6.804
IRF6691TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 180A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6580pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MT Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MT	Disponibile4.194
IRF6706S2TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile3.582
IRF6706S2TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile7.236
IRF6708S2TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile2.250
IRF6708S2TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile5.634
IRF6709S2TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile5.688
IRF6709S2TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile3.562
IRF6710S2TR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 15W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile5.202
IRF6710S2TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 15W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET S1 Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric S1	Disponibile5.670
IRF6711STR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 84A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SQ	Disponibile3.400
IRF6711STRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 84A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SQ	Disponibile7.290
IRF6712STR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SQ	Disponibile4.770
IRF6712STRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 68A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SQ	Disponibile8.406
IRF6713STR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 95A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2880pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SQ	Disponibile3.960

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