IRF6709S2TR1PBF
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| Numero parte | IRF6709S2TR1PBF |
| PNEDA Part # | IRF6709S2TR1PBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.688 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF6709S2TR1PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF6709S2TR1PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRF6709S2TR1PBF, IRF6709S2TR1PBF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 262,98 KB)
  
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IRF6709S2TR1PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 13V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
| Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric S1 |
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