Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
MRF8372GR1 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 16V Frequenza - Transizione: 870MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 2.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.442
MRF8372GR2 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 16V Frequenza - Transizione: 870MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 2.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.282
MRF8372MR1 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF TRANS NPN 16V 200MA Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.652
MRF8372R1 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 16V Frequenza - Transizione: 870MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 2.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.898
MRF8372R2 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 16V Frequenza - Transizione: 870MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 2.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.752
MRF904 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz Guadagno: 6.5dB ~ 10.5dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile2.070
MRFC544 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.562
MRFC545 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.068
MS1001 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 13dB Potenza - Max: 270W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M174 Pacchetto dispositivo fornitore: M174	Disponibile4.500
MS1001A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF TRANS RF BIPO 270W 20A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.676
MS1003 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: 136MHz ~ 175MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6dB Potenza - Max: 270W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: M111 Pacchetto dispositivo fornitore: M111	Disponibile8.190
MS1004 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 14.5dB Potenza - Max: 330W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M177 Pacchetto dispositivo fornitore: M177	Disponibile8.298
MS1006 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 14dB Potenza - Max: 127W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 19 @ 1.4A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3.25A Temperatura di esercizio: 200°C Tipo di montaggio: Stud Mount Pacchetto / Custodia: M135 Pacchetto dispositivo fornitore: M135	Disponibile5.022
MS1007 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 14dB Potenza - Max: 233W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M174 Pacchetto dispositivo fornitore: M174	Disponibile3.996
MS1008 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 55V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 14dB Potenza - Max: 233W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1.4A, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M164 Pacchetto dispositivo fornitore: M164	Disponibile8.046
MS1014 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.598
MS1015D Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.140
MS1019 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.308
MS1030 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.528
MS1030DE Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.946
MS1051 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 11dB ~ 13dB Potenza - Max: 290W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M174 Pacchetto dispositivo fornitore: M174	Disponibile8.190
MS1076 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 35V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 12dB Potenza - Max: 320W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 16A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M174 Pacchetto dispositivo fornitore: M174	Disponibile7.110
MS1076A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.186
MS1076C Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.128
MS1087T Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.848
MS1202 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 35V Frequenza - Transizione: 118MHz ~ 136MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.4dB Potenza - Max: 15W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M135 Pacchetto dispositivo fornitore: M135	Disponibile6.822
MS1226 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 36V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 18dB Potenza - Max: 80W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M113 Pacchetto dispositivo fornitore: M113	Disponibile6.102
MS1227 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: 30MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 15dB Potenza - Max: 80W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: M113 Pacchetto dispositivo fornitore: M113	Disponibile2.592
MS1261 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: 175MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 12dB Potenza - Max: 34W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: M122 Pacchetto dispositivo fornitore: M122	Disponibile3.402
MS1336 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 18V Frequenza - Transizione: 175MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10dB Potenza - Max: 70W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 8A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: M135 Pacchetto dispositivo fornitore: M135	Disponibile3.600

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