MS1030DE
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| Numero parte | MS1030DE |
| PNEDA Part # | MS1030DE |
| Descrizione | RF POWER TRANSISTOR |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.946 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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MS1030DE Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MS1030DE |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MS1030DE Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 3.5V Frequenza - Transizione 24GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Guadagno 17dB Potenza - Max 50mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 15mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-UFDFN Pacchetto dispositivo fornitore 4-ECSP1008 |
