Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FCH040N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4740pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.588
FCH041N60E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 77A TO-247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 592W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile20.856
FCH041N60F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 76A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14365pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile9.552
FCH041N60F-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 76A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 347nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.944
FCH041N65EF-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile18.912
FCH041N65EFL4 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 76A Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile9.468
FCH041N65EFLN4 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SF2 650V 44MOHM F TO2474L Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-4 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile3.096
FCH041N65F-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13566pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.372
FCH041N65F-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13020pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.992
FCH043N60 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 75A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12225pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 592W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.172
FCH060N80-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 56A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14685pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.492
FCH067N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 44A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3090pF @ 400V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 312W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.008
FCH070N60E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 52A Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4925pF @ 380V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile9.036
FCH072N60 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5890pF @ 380V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile10.740
FCH072N60F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8660pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.012
FCH072N60F-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6330pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.952
FCH077N65F-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 54A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7162pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.658
FCH077N65F-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 54A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7109pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 481W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.718
FCH085N80-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 46A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10825pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.742
FCH099N60E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3465pF @ 380V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.896
FCH099N65S3_F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 227W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.400
FCH099N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SF3 650V 99MOHM E TO247L Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 227W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.446
FCH104N60 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 37A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4165pF @ 380V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.068
FCH104N60F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 37A TO-247 Produttore: ON Semiconductor Serie: HiPerFET™, Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.020
FCH104N60F-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 37A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4302pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile13.374
FCH110N65F-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4895pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.786
FCH125N60E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 29A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2990pF @ 380V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 278W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.752
FCH125N65S3R0-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V TO247 PKG Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 181W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile9.060
FCH130N60 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 28A TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3590pF @ 380V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 278W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.010
FCH150N65F-F155 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 24A Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3737pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 298W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Long Leads Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.294

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