FCH041N65EFLN4
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| Numero parte | FCH041N65EFLN4 |
| PNEDA Part # | FCH041N65EFLN4 |
| Descrizione | SF2 650V 44MOHM F TO2474L |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.096 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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FCH041N65EFLN4 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FCH041N65EFLN4 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FCH041N65EFLN4, FCH041N65EFLN4 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 525,67 KB)
  
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FCH041N65EFLN4 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | FRFET®, SuperFET® II |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 7.6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 298nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12560pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 595W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-4 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-4 |
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