Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 107/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
2SC5015-T1-A CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 6V Frequenza - Transizione: 12GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Guadagno: 11dB Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-343	Disponibile8.298
2SC501900L Panasonic Electronic Components	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINIP3-F1 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 6GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz Guadagno: 7.5dB ~ 10dB Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: MiniP3-F1	Disponibile3.618
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Guadagno: - Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile7.038
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Guadagno: 12dB ~ 17dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile23.124
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Guadagno: - Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile47.898
2SC5066-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Guadagno: - Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile4.662
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Guadagno: 11dB Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini	Disponibile8.064
2SC5084YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Guadagno: 11dB Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59	Disponibile17.244
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Guadagno: - Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile4.320
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Guadagno: 11dB ~ 16.5dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile2.754
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Guadagno: - Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile1.247.322
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Guadagno: - Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile4.554
2SC5087-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz Guadagno: - Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-61AA Pacchetto dispositivo fornitore: SMQ	Disponibile14.274
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz Guadagno: - Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-61AA Pacchetto dispositivo fornitore: SMQ	Disponibile28.608
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Guadagno: 13dB Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-61AA Pacchetto dispositivo fornitore: SMQ	Disponibile3.060
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz Guadagno: 18dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-82A, SOT-343 Pacchetto dispositivo fornitore: USQ	Disponibile5.292
2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 10GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Guadagno: 13dB ~ 7dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile6.048
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 10GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Guadagno: 13dB ~ 7.5dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile2.232
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 10GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Guadagno: 1.4dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15mA Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile2.682
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - RF TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 6GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 11dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile3.204
2SC5226A-4-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCP	Disponibile4.014
2SC5226A-5-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCP	Disponibile4.716
2SC5227A-4-TB-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CP	Disponibile3.834
2SC5227A-5-TB-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CP	Disponibile2.160
2SC5231A-8-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SMCP	Disponibile6.318
2SC5231A-9-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Guadagno: 12dB ~ 8.5dB @ 1GHz Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: SMCP	Disponibile4.374
2SC5245A-4-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz Guadagno: 10dB Potenza - Max: 150mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCP	Disponibile4.122
2SC5277A-2-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz Guadagno: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz Potenza - Max: 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SMCP	Disponibile6.732
2SC5336-AZ CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 6.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 1.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.218
2SC5336-T1-AZ CEL	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 Produttore: CEL Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 6.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Guadagno: 12dB Potenza - Max: 1.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-89	Disponibile7.632

«
‹
1
...
104
105
106
107 (current)
108
109
110
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message