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2SC5084YTE85LF

2SC5084YTE85LF

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5084YTE85LF
PNEDA Part # 2SC5084YTE85LF
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5084YTE85LF Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5084YTE85LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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2SC5084YTE85LF Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Guadagno11dB
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-59

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

136MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

4.5dB

Potenza - Max

117W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

M130

Pacchetto dispositivo fornitore

M130

BFR182WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

MPSH10_D74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89-3

MPSH17G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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