Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT18M80S Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3760pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.366
APT19F100J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.356
APT19M120J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 545W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.262
APT20F50B Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.024
APT20F50S Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.084
APT20M11JVFR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.322
APT20M11JVR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.772
APT20M120JCU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 543W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.824
APT20M120JCU3 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 672mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7736pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 543W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.136
APT20M19JVR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 112A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.022
APT20M22B2VFRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 435nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile2.682
APT20M22B2VRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 435nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile8.730
APT20M22JVRU2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 48.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 450W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.688
APT20M22JVRU3 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 48.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 450W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227 Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.952
APT20M22LVFRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 435nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile5.670
APT20M22LVRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 435nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile8.064
APT20M38BVFRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.496
APT20M38BVRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.156
APT20M38SVFRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.688
APT20M38SVRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile2.178
APT20M38SVRG/TR Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 33.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 370W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.570
APT20M45BVFRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4860pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.232
APT20M45BVRG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS V® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4860pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.400
APT20N60BC3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.546
APT20N60SC3G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.382
APT21M100J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 462W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.154
APT22F100J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9835pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 545W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.318
APT22F120B2 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile6.174
APT22F120L Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile4.788
APT22F80B Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4595pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.166

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