Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AOWF25S65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 25A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1278pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile4.032
AOWF2606 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 13A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4050pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262F Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile2.520
AOWF296 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 37A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2785pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262F Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile3.490
AOWF412 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile3.114
AOWF4N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile7.830
AOWF4S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 263pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile7.290
AOWF7S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 372pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile8.316
AOWF7S65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 7A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 434pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile2.682
AOWF8N50 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 8A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1042pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262F Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile6.678
AOWF9N70 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 9A TO262F Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile6.606
AOY2610E Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 59.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251B Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile4.392
AOY2N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile6.282
AOY4158P Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.618
AOY423 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2760pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251B Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile2.556
AOY514 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1187pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251B Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile5.796
AOY516 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO251B Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaMOS Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251B Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.606
AOY526 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251B Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile3.618
AOY528 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251B Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile7.614
AOY66923 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 100V N-CHANNEL ALPHASGT TM Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaSGT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Ta), 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.2W (Ta), 73W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251B Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Disponibile6.570
APL1001J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.286
APL502B2G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 730W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile7.794
APL502J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 26A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 568W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.434
APL502LG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 730W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile6.012
APL602B2G Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 24.5A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 730W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: T-MAX™ [B2] Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant	Disponibile2.358
APL602J Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 21.5A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 565W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.960
APL602LG Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 49A TO-264 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 24.5A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 730W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264 [L] Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA	Disponibile3.546
APT1001R1BN Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.480
APT1001RBN Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS IV® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.274
APT10021JFLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9750pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.910
APT10021JLL Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 7® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9750pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ISOTOP® Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.874

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