Circuiti integrati di memoria

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R1LV0108ESF-7SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP (8x20)	Disponibile7.218
R1LV0108ESN-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile9.360
R1LV0108ESN-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile6.552
R1LV0108ESN-5SR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile6.552
R1LV0108ESN-5SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile5.634
R1LV0108ESN-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile4.842
R1LV0108ESN-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile8.982
R1LV0108ESN-7SR#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile8.424
R1LV0108ESN-7SR#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP	Disponibile4.446
R1LV0208BSA-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile2.322
R1LV0208BSA-5SI#B1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile8.352
R1LV0208BSA-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile3.690
R1LV0208BSA-5SI#S1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile6.966
R1LV0208BSA-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2MBIT 70NS 32STSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile6.264
R1LV0208BSA-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2MBIT 70NS 32TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP	Disponibile5.634
R1LV0216BSB-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile4.248
R1LV0216BSB-5SI#B1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.328
R1LV0216BSB-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.222
R1LV0216BSB-5SI#S1 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.258
R1LV0216BSB-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.166
R1LV0216BSB-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.330
R1LV0408DSB-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile3.418
R1LV0808ASB-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.304
R1LV0808ASB-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.556
R1LV0808ASB-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.418
R1LV0808ASB-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.642
R1LV0816ABG-5SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)	Disponibile2.466
R1LV0816ABG-5SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)	Disponibile8.730
R1LV0816ABG-7SI#B0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)	Disponibile4.698
R1LV0816ABG-7SI#S0 Renesas Electronics America	Memoria IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns Tempo di accesso: 70ns Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)	Disponibile4.878

R1LV0108ESF-7SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP (8x20)

Disponibile7.218

R1LV0108ESN-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile9.360

R1LV0108ESN-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile6.552

R1LV0108ESN-5SR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile6.552

R1LV0108ESN-5SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile5.634

R1LV0108ESN-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile4.842

R1LV0108ESN-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile8.982

R1LV0108ESN-7SR#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile8.424

R1LV0108ESN-7SR#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOP

Disponibile4.446

R1LV0208BSA-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile2.322

R1LV0208BSA-5SI#B1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile8.352

R1LV0208BSA-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile3.690

R1LV0208BSA-5SI#S1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile6.966

R1LV0208BSA-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2MBIT 70NS 32STSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile6.264

R1LV0208BSA-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2MBIT 70NS 32TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP

Disponibile5.634

R1LV0216BSB-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile4.248

R1LV0216BSB-5SI#B1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.328

R1LV0216BSB-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.222

R1LV0216BSB-5SI#S1

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.258

R1LV0216BSB-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.166

R1LV0216BSB-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 2MBIT 70NS 44TSOP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.330

R1LV0408DSB-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile3.418

R1LV0808ASB-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.304

R1LV0808ASB-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.556

R1LV0808ASB-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.418

R1LV0808ASB-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.642

R1LV0816ABG-5SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)

Disponibile2.466

R1LV0816ABG-5SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)

Disponibile8.730

R1LV0816ABG-7SI#B0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)

Disponibile4.698

R1LV0816ABG-7SI#S0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 48CSP

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM
Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
Tempo di accesso: 70ns
Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (7.5x8.5)

Disponibile4.878

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