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R1LV0208BSA-5SI#B0

R1LV0208BSA-5SI#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV0208BSA-5SI#B0
PNEDA Part # R1LV0208BSA-5SI-B0
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.322
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV0208BSA-5SI#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV0208BSA-5SI#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV0208BSA-5SI#B0, R1LV0208BSA-5SI#B0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 186,02 KB)
PDFR1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Copertura
R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV0208BSA-7SI#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV0208BSA-5SI#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-sTSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM - FP

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

50/44-TSOP II

IS61WV20488BLL-10MLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-miniBGA (9x11)

IS46DR81280B-25DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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