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Disponibile
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MT40A512M8RH-075E:B TR
MT40A512M8RH-075E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile4.788
MT40A512M8RH-075E IT:B
MT40A512M8RH-075E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile2.934
MT40A512M8RH-075E IT:B TR
MT40A512M8RH-075E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile7.488
MT40A512M8RH-083E AAT:B
MT40A512M8RH-083E AAT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile2.502
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile2.232
MT40A512M8RH-083E AIT:B
MT40A512M8RH-083E AIT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile6.138
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile7.956
MT40A512M8RH-083E AUT:B
MT40A512M8RH-083E AUT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile4.302
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile8.694
MT40A512M8RH-083E:B
MT40A512M8RH-083E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile20.082
MT40A512M8RH-083E:B TR
MT40A512M8RH-083E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR4 4G 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile5.346
MT40A512M8RH-083E IT:B
MT40A512M8RH-083E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile7.740
MT40A512M8RH-083E IT:B TR
MT40A512M8RH-083E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile2.268
MT40A512M8SA-062E AAT:F
MT40A512M8SA-062E AAT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile4.158
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile3.726
MT40A512M8SA-062E AIT:F
MT40A512M8SA-062E AIT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile5.652
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile7.668
MT40A512M8SA-062E AUT:F
MT40A512M8SA-062E AUT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile7.632
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile3.508
MT40A512M8SA-062E:F
MT40A512M8SA-062E:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 13.75ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile2.484
MT40A512M8SA-062E IT:F
MT40A512M8SA-062E IT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile3.024
MT40A512M8SA-062E IT:F TR
MT40A512M8SA-062E IT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 13.75ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile5.922
MT40A512M8Z90BWC1
MT40A512M8Z90BWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

DDR4 4G DIE 512MX8

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile6.858
MT40A8G4KVA-075H:G
MT40A8G4KVA-075H:G

Micron Technology Inc.

Memoria

MEMORY DRAM

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile8.694
MT40A8G4KVA-075H:G TR
MT40A8G4KVA-075H:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

MEMORY DRAM

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile4.824
MT41DC11TW-V88A
MT41DC11TW-V88A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 1G NANA NA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.218
MT41DC11TW-V88A TR
MT41DC11TW-V88A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 1G NANA NA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile7.776
MT41DCHA-V80A:E
MT41DCHA-V80A:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DDR3 4G NANA FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile4.302
MT41J128M16HA-107G:D
MT41J128M16HA-107G:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR3
  • Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 933MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile6.282
MT41J128M16HA-125:D
MT41J128M16HA-125:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR3
  • Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 800MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 13.75ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile89.831