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MT40A512M8SA-062E AUT:F TR

MT40A512M8SA-062E AUT:F TR

Solo per riferimento

Numero parte MT40A512M8SA-062E AUT:F TR
PNEDA Part # MT40A512M8SA-062E-AUT-F-TR
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.508
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT40A512M8SA-062E AUT:F TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR, MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Datasheet (Totale pagine: 383, Dimensioni: 11.237,05 KB)
PDFMT40A512M8SA-062E:F Datasheet Copertura
MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 2 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 3 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 4 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 5 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 6 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 7 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 8 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 9 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 10 MT40A512M8SA-062E:F Datasheet Pagina 11

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  • MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Distributor

MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR4
Dimensione della memoria4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1.6GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso19ns
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.26V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (7.5x11)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Formato memoria

-

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-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

M29W640GT70ZA6F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

AT24CM01-SHM-B

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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