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Circuiti integrati di memoria

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Descrizione
Disponibile
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MT40A256M16GE-062E:B TR
MT40A256M16GE-062E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile6.408
MT40A256M16GE-062E IT:B
MT40A256M16GE-062E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile2.304
MT40A256M16GE-062E IT:B TR
MT40A256M16GE-062E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile8.928
MT40A256M16GE-075E AAT:B
MT40A256M16GE-075E AAT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile4.806
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile6.354
MT40A256M16GE-075E AIT:B
MT40A256M16GE-075E AIT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile6.768
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile5.130
MT40A256M16GE-075E AUT:B
MT40A256M16GE-075E AUT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile2.754
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile7.344
MT40A256M16GE-075E:B
MT40A256M16GE-075E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile5.922
MT40A256M16GE-075E:B TR
MT40A256M16GE-075E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR4 4G PAR 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.333GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile3.186
MT40A256M16GE-075E IT:B
MT40A256M16GE-075E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile3.526
MT40A256M16GE-075E IT:B TR
MT40A256M16GE-075E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile6.696
MT40A256M16GE-083E AAT:B
MT40A256M16GE-083E AAT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile5.850
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile7.218
MT40A256M16GE-083E AIT:B
MT40A256M16GE-083E AIT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile2.394
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile7.434
MT40A256M16GE-083E AUT:B
MT40A256M16GE-083E AUT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile20.424
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile8.838
MT40A256M16GE-083E:B
MT40A256M16GE-083E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile37.476
MT40A256M16GE-083E:B TR
MT40A256M16GE-083E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR4 4G PAR 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile2.502
MT40A256M16GE-083E IT:B
MT40A256M16GE-083E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile3.366
MT40A256M16GE-083E IT:B TR
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile7.560
MT40A256M16LY-062E AAT:F
MT40A256M16LY-062E AAT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)
Disponibile6.786
MT40A256M16LY-062E AAT:F TR
MT40A256M16LY-062E AAT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)
Disponibile7.236
MT40A256M16LY-062E AIT:F
MT40A256M16LY-062E AIT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)
Disponibile7.902
MT40A256M16LY-062E AIT:F TR
MT40A256M16LY-062E AIT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)
Disponibile3.762
MT40A256M16LY-062E AUT:F
MT40A256M16LY-062E AUT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)
Disponibile16.656
MT40A256M16LY-062E:F
MT40A256M16LY-062E:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 13.75ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)
Disponibile6.120
MT40A256M16LY-062E IT:F
MT40A256M16LY-062E IT:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 13.75ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)
Disponibile5.004