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Disponibile
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MT40A1G8SA-062E:E
MT40A1G8SA-062E:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile5.616
MT40A1G8SA-062E:E TR
MT40A1G8SA-062E:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile8.388
MT40A1G8SA-062E IT:E
MT40A1G8SA-062E IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile3.096
MT40A1G8SA-062E IT:E TR
MT40A1G8SA-062E IT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile2.898
MT40A1G8SA-062E IT:J
MT40A1G8SA-062E IT:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile6.588
MT40A1G8SA-062E IT:J TR
MT40A1G8SA-062E IT:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile8.442
MT40A1G8SA-062E:J
MT40A1G8SA-062E:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile4.086
MT40A1G8SA-062E:J TR
MT40A1G8SA-062E:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile2.934
MT40A1G8SA-075:E
MT40A1G8SA-075:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile78.950
MT40A1G8SA-075:E TR
MT40A1G8SA-075:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile2.502
MT40A1G8SA-075:H
MT40A1G8SA-075:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x11)
Disponibile7.038
MT40A1G8WE-075E AIT:B
MT40A1G8WE-075E AIT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile7.398
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile6.660
MT40A1G8WE-075E:B
MT40A1G8WE-075E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile8.064
MT40A1G8WE-075E:B TR
MT40A1G8WE-075E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile5.940
MT40A1G8WE-075E:D
MT40A1G8WE-075E:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile4.284
MT40A1G8WE-075E:D TR
MT40A1G8WE-075E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile8.154
MT40A1G8WE-075E IT:B
MT40A1G8WE-075E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile5.760
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
MT40A1G8WE-075E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.33GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile2.268
MT40A1G8WE-083E AAT:B
MT40A1G8WE-083E AAT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile7.488
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile2.772
MT40A1G8WE-083E AIT:B
MT40A1G8WE-083E AIT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile5.184
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile4.680
MT40A1G8WE-083E AUT:B
MT40A1G8WE-083E AUT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile3.258
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile4.284
MT40A1G8WE-083E:B TR
MT40A1G8WE-083E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile2.178
MT40A1G8WE-083E IT:B
MT40A1G8WE-083E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 19ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile5.886
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
MT40A1G8WE-083E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.2GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x12)
Disponibile7.254
MT40A1G8Z01AWC1
MT40A1G8Z01AWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

DDR4 8G DIE 1GX8

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile8.748
MT40A256M16GE-062E:B
MT40A256M16GE-062E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR4
  • Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 1.6GHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.26V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)
Disponibile5.418