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ZX3CD1S1M832TA

ZX3CD1S1M832TA

Solo per riferimento

Numero parte ZX3CD1S1M832TA
PNEDA Part # ZX3CD1S1M832TA
Descrizione TRANS PNP 12V 4A 3X2MM 8MLP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.614
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZX3CD1S1M832TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZX3CD1S1M832TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
ZX3CD1S1M832TA, ZX3CD1S1M832TA Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 478,24 KB)
PDFZX3CD1S1M832TA Datasheet Copertura
ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 2 ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 3 ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 4 ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 5 ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 6 ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 7 ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 8 ZX3CD1S1M832TA Datasheet Pagina 9

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  • ZX3CD1S1M832TA Distributor

ZX3CD1S1M832TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP + Diode (Isolated)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 150mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)25nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 2.5A, 2V
Potenza - Max3W
Frequenza - Transizione110MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (2x3)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JANTX2N4033

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/512

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

PBSS4160V,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

220MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-666

BC859BW,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70

BF421ZL1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

Potenza - Max

830mW

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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