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NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTJD4001NT1G
PNEDA Part # NTJD4001NT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.699.314
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTJD4001NT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTJD4001NT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTJD4001NT1G, NTJD4001NT1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 192,28 KB)
PDFNTJD4001NT2G Datasheet Copertura
NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 2 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 3 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 4 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 5 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 6 NTJD4001NT2G Datasheet Pagina 7

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NTJD4001NT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds33pF @ 5V
Potenza - Max272mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Potenza - Max

190W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-240AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-240AA

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 34mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V

Potenza - Max

415W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

SLA5037

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP w/fin

IRF40H233XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NX3008NBKSH

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Potenza - Max

445mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

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