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ZVP2110GTC

ZVP2110GTC

Solo per riferimento

Numero parte ZVP2110GTC
PNEDA Part # ZVP2110GTC
Descrizione MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.912
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZVP2110GTC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZVP2110GTC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
ZVP2110GTC, ZVP2110GTC Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 618,12 KB)
PDFZVP2110GTC Datasheet Copertura
ZVP2110GTC Datasheet Pagina 2 ZVP2110GTC Datasheet Pagina 3 ZVP2110GTC Datasheet Pagina 4 ZVP2110GTC Datasheet Pagina 5

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ZVP2110GTC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C310mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NTD14N03RT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.04W (Ta), 20.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK100S04N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5490pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK+

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIHP22N60AEL-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

EL

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1757pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

208W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI7315DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

315mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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