VMM650-01F
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| Numero parte | VMM650-01F | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | VMM650-01F | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI | ||||||||||||||||||
| Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 140 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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VMM650-01F Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VMM650-01F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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VMM650-01F Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 680A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 500A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1440nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Y3-Li |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Y3-Li |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 642pF @ 10V Potenza - Max 700mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
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