DMN3022LDG-13
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| Numero parte | DMN3022LDG-13 |
| PNEDA Part # | DMN3022LDG-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.802 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN3022LDG-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN3022LDG-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DMN3022LDG-13, DMN3022LDG-13 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 548,87 KB)
  
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DMN3022LDG-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta), 15A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 481pF @ 15V, 996pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.96W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerLDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 (Type D) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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