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VBT1080S-E3/4W

VBT1080S-E3/4W

Solo per riferimento

Numero parte VBT1080S-E3/4W
PNEDA Part # VBT1080S-E3-4W
Descrizione DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VBT1080S-E3/4W Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVBT1080S-E3/4W
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VBT1080S-E3/4W, VBT1080S-E3/4W Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 200,55 KB)
PDFVIT1080S-E3/4W Datasheet Copertura
VIT1080S-E3/4W Datasheet Pagina 2 VIT1080S-E3/4W Datasheet Pagina 3 VIT1080S-E3/4W Datasheet Pagina 4 VIT1080S-E3/4W Datasheet Pagina 5 VIT1080S-E3/4W Datasheet Pagina 6

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  • VBT1080S-E3/4W Distributor

VBT1080S-E3/4W Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If810mV @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr600µA @ 80V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

34A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 420V

Capacità @ Vr, F

594pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-PowerSOP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HDSOP-10-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

VS-30WQ04FNTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

189pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

LSIC2SD065A16A

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

Gen2

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

38A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 16A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

730pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

AS4PJHM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.4A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

962mV @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SBL5100TA

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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