IDDD12G65C6XTMA1
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| Numero parte | IDDD12G65C6XTMA1 |
| PNEDA Part # | IDDD12G65C6XTMA1 |
| Descrizione | SIC DIODES |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.964 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDDD12G65C6XTMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDDD12G65C6XTMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDDD12G65C6XTMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 34A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 420V |
| Capacità @ Vr, F | 594pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 10-PowerSOP Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HDSOP-10-1 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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