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IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1

Solo per riferimento

Numero parte IDDD12G65C6XTMA1
PNEDA Part # IDDD12G65C6XTMA1
Descrizione SIC DIODES
Produttore Infineon Technologies
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Disponibile 8.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDDD12G65C6XTMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDDD12G65C6XTMA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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IDDD12G65C6XTMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)650V
Corrente - Media Rettificata (Io)34A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr40µA @ 420V
Capacità @ Vr, F594pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-PowerSOP Module
Pacchetto dispositivo fornitorePG-HDSOP-10-1
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-APH3006-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.65V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

26ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BYG10D-E3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BAY80

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 150mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 120V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

SR803 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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