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UPA1952TE-T1-A

UPA1952TE-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte UPA1952TE-T1-A
PNEDA Part # UPA1952TE-T1-A
Descrizione MOSFET P-CH SC-95
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA1952TE-T1-A Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA1952TE-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA1952TE-T1-A, UPA1952TE-T1-A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 201,45 KB)
PDFUPA1952TE-T1-A Datasheet Copertura
UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 2 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 3 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 4 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 5 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 6 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 7 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 8 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 9 UPA1952TE-T1-A Datasheet Pagina 10

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UPA1952TE-T1-A Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds272pF @ 10V
Potenza - Max1.15W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-95
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-95

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 13V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V, 45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 25V

Potenza - Max

34W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

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