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UG06B-E3/54

UG06B-E3/54

Solo per riferimento

Numero parte UG06B-E3/54
PNEDA Part # UG06B-E3-54
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 600MA MPG06
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.048
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UG06B-E3/54 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUG06B-E3/54
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
UG06B-E3/54, UG06B-E3/54 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 69,47 KB)
PDFUG06D-E3/54 Datasheet Copertura
UG06D-E3/54 Datasheet Pagina 2 UG06D-E3/54 Datasheet Pagina 3 UG06D-E3/54 Datasheet Pagina 4

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UG06B-E3/54 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)600mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If950mV @ 600mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F9pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaMPG06, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreMPG06
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

240A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

860mV @ 240A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

8mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

6400pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

HALF-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

DSK10C-ET1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

R-1, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SR315 B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BAS516,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 80V

Capacità @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore

ESC

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

GS1Z-LTP

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 2000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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