BAS516,L3F
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| Numero parte | BAS516,L3F |
| PNEDA Part # | BAS516-L3F |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.200 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAS516 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAS516,L3F |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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BAS516 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 250mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 80V |
| Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-79, SOD-523 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ESC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
