STTH1212G
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| Numero parte | STTH1212G |
| PNEDA Part # | STTH1212G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.176 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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STTH1212G Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STTH1212G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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STTH1212G Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 12A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
