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AR4PGHM3/86A

AR4PGHM3/86A

Solo per riferimento

Numero parte AR4PGHM3/86A
PNEDA Part # AR4PGHM3-86A
Descrizione DIODE AVALANCHE 400V 2A TO277A
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.538
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AR4PGHM3/86A Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAR4PGHM3/86A
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
AR4PGHM3/86A, AR4PGHM3/86A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 91,18 KB)
PDFAR4PJHM3/87A Datasheet Copertura
AR4PJHM3/87A Datasheet Pagina 2 AR4PJHM3/87A Datasheet Pagina 3 AR4PJHM3/87A Datasheet Pagina 4 AR4PJHM3/87A Datasheet Pagina 5

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AR4PGHM3/86A Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieeSMP®
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.6V @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F77pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-277, 3-PowerDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-277A (SMPC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 50mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 20V

Capacità @ Vr, F

3.9pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore

ESC

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

NRVB440MFSWFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

800µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

IDDD16G65C6XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

43A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

53µA @ 420V

Capacità @ Vr, F

783pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-PowerSOP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-HDSOP-10-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

1N5284UR-1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

1N4004GPE-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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