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SSM6L13TU(T5L,F,T)

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Solo per riferimento

Numero parte SSM6L13TU(T5L,F,T)
PNEDA Part # SSM6L13TU-T5L-F-T
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.402
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSM6L13TU(T5L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM6L13TU(T5L,F,T)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SSM6L13TU(T5L, SSM6L13TU(T5L Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 251,69 KB)
PDFSSM6L13TU(T5L Datasheet Copertura
SSM6L13TU(T5L Datasheet Pagina 2 SSM6L13TU(T5L Datasheet Pagina 3 SSM6L13TU(T5L Datasheet Pagina 4 SSM6L13TU(T5L Datasheet Pagina 5 SSM6L13TU(T5L Datasheet Pagina 6 SSM6L13TU(T5L Datasheet Pagina 7 SSM6L13TU(T5L Datasheet Pagina 8

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SSM6L13TU(T5L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds268pF @ 10V, 250pF @ 10V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreUF6

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Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2163pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56D

TPCL4201(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFLGA

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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