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BUK7K13-60EX

BUK7K13-60EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK7K13-60EX
PNEDA Part # BUK7K13-60EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7K13-60EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7K13-60EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK7K13-60EX, BUK7K13-60EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 716,22 KB)
PDFBUK7K13-60EX Datasheet Copertura
BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 2 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 3 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 4 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 5 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 6 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 7 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 8 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 9 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 10 BUK7K13-60EX Datasheet Pagina 11

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BUK7K13-60EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2163pF @ 25V
Potenza - Max64W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V

Potenza - Max

27W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

913pF @ 15V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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