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IRF7314QTRPBF

IRF7314QTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7314QTRPBF
PNEDA Part # IRF7314QTRPBF
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.292
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7314QTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7314QTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7314QTRPBF, IRF7314QTRPBF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 217,43 KB)
PDFIRF7314QTRPBF Datasheet Copertura
IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF7314QTRPBF Datasheet Pagina 9

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  • IRF7314QTRPBF Distributor

IRF7314QTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds913pF @ 15V
Potenza - Max2.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

39pF @ 3V

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4290pF @ 20V

Potenza - Max

46.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Vgs (th) (Max) @ Id

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