SS8PH10HM3_A/H
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| Numero parte | SS8PH10HM3_A/H |
| PNEDA Part # | SS8PH10HM3_A-H |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 51.222 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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SS8PH10HM3_A/H Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SS8PH10HM3_A/H |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
SS8PH10HM3_A/H, SS8PH10HM3_A/H Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 92,76 KB)
  
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SS8PH10HM3_A/H Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 1.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 10.4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 4400V Corrente - Media Rettificata (Io) 750A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 700A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 70mA @ 4400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AB, B-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 160°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 250V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 200V Capacità @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 50V Capacità @ Vr, F 1.6pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
