IDP12E120XKSA1

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Numero parte | IDP12E120XKSA1 |
PNEDA Part # | IDP12E120XKSA1 |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO220-2 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.698 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDP12E120XKSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IDP12E120XKSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDP12E120XKSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 28A (DC) |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.15V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 190°C |
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