SIB914DK-T1-GE3
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| Numero parte | SIB914DK-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIB914DK-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.104 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIB914DK-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIB914DK-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIB914DK-T1-GE3, SIB914DK-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 119,24 KB)
  
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SIB914DK-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 113mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 4V |
| Potenza - Max | 3.1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 7.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 20V Potenza - Max 1.9W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3) |
