SIA920DJ-T1-GE3
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| Numero parte | SIA920DJ-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIA920DJ-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.172 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIA920DJ-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIA920DJ-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIA920DJ-T1-GE3, SIA920DJ-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 292,12 KB)
  
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SIA920DJ-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 4V |
| Potenza - Max | 7.8W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 82pF @ 10V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore SC-88FL/MCPH6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 20V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
