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FW216A-TL-2WX

FW216A-TL-2WX

Solo per riferimento

Numero parte FW216A-TL-2WX
PNEDA Part # FW216A-TL-2WX
Descrizione INTEGRATED CIRCUIT
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FW216A-TL-2WX Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFW216A-TL-2WX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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FW216A-TL-2WX Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

113A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 4mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 1000V

Potenza - Max

500W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

AOP607

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

AOD607_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V

Potenza - Max

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1472pF @ 10V

Potenza - Max

770mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Central Semiconductor Corp

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-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

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