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SI4539ADY-T1-E3

SI4539ADY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4539ADY-T1-E3
PNEDA Part # SI4539ADY-T1-E3
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.604
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4539ADY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4539ADY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4539ADY-T1-E3, SI4539ADY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 129,07 KB)
PDFSI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4539ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8

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SI4539ADY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

857pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (Max) @ Id

380mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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16-SOIC

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 15V

Potenza - Max

445mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

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