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STS8DNH3LL

STS8DNH3LL

Solo per riferimento

Numero parte STS8DNH3LL
PNEDA Part # STS8DNH3LL
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario
1 ---------- $330,8438
50 ---------- $315,3355
100 ---------- $299,8272
200 ---------- $284,3189
400 ---------- $271,3953
500 ---------- $258,4717
Disponibile 10.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STS8DNH3LL Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTS8DNH3LL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STS8DNH3LL, STS8DNH3LL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 336,34 KB)
PDFSTS8DNH3LL Datasheet Copertura
STS8DNH3LL Datasheet Pagina 2 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 3 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 4 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 5 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 6 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 7 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 8 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 9 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 10 STS8DNH3LL Datasheet Pagina 11

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STS8DNH3LL Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ III
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds857pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta), 410mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V, 62pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

NTMD6N02R2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.92A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V

Potenza - Max

730mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SI5935DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

IRF7755TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

BSC072N03LDGATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 15V

Potenza - Max

57W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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