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SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI4501ADY-T1-GE3
PNEDA Part # SI4501ADY-T1-GE3
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.760
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4501ADY-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4501ADY-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4501ADY-T1-GE3, SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 133,98 KB)
PDFSI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4501ADY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI4501ADY-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

647pF @ 10V

Potenza - Max

950mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 22mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 10V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

143mOhm @ 600MA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

268pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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