SI2323DS-T1
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| Numero parte | SI2323DS-T1 |
| PNEDA Part # | SI2323DS-T1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.088 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI2323DS-T1 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI2323DS-T1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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SI2323DS-T1 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie aMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.6nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1312pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2435pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 6.2W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 970mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46.1pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 460mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia 3-XFDFN |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 380mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 |
