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SI1553DL-T1-GE3

SI1553DL-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI1553DL-T1-GE3
PNEDA Part # SI1553DL-T1-GE3
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1553DL-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1553DL-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1553DL-T1-GE3, SI1553DL-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 127,89 KB)
PDFSI1553DL-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI1553DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI1553DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI1553DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI1553DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI1553DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI1553DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI1553DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 8

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SI1553DL-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max270mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

4 P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SI4542DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 30V

Potenza - Max

510mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

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