Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SI4542DY-T1-E3

SI4542DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4542DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4542DY-T1-E3
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.608
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4542DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4542DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4542DY-T1-E3, SI4542DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 116,65 KB)
PDFSI4542DY-T1-E3 Datasheet Copertura
SI4542DY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI4542DY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI4542DY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI4542DY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI4542DY-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI4542DY-T1-E3 Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • SI4542DY-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI4542DY-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4542DY-T1-E3
  • SI4542DY-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI4542DY-T1-E3 Stock

  • SI4542DY-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI4542DY-T1-E3
  • SI4542DY-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4542DY-T1-E3 Price
  • SI4542DY-T1-E3 Distributor

SI4542DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRF7507TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

LN60A01EP-LF

Monolithic Power Systems Inc.

Produttore

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Tipo FET

3 N-Channel, Common Gate

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

AO6802L_001

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

NTMD2C02R2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ALD114813PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Depletion Mode

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.26V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

Venduto di recente

MAX3490ESA+T

MAX3490ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

2N7002LT1G

2N7002LT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

HCPL-0201-500E

HCPL-0201-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8SO

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

219-2MSTR

219-2MSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 100MA 20V

MT40A512M16LY-075:E

MT40A512M16LY-075:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

BSS123

BSS123

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

PMEG3010BEP,115

PMEG3010BEP,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD128

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

ISL68137IRAZ-T7A

ISL68137IRAZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR PMBUS 48QFN

PIC18F46K22-I/PT

PIC18F46K22-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

PEX8796-AB80BI G

PEX8796-AB80BI G

Broadcom

PCI INT IC MULT-RT GEN 3 SW