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SFR9014TF

SFR9014TF

Solo per riferimento

Numero parte SFR9014TF
PNEDA Part # SFR9014TF
Descrizione MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.762
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SFR9014TF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSFR9014TF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SFR9014TF, SFR9014TF Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 228,74 KB)
PDFSFR9014TF Datasheet Copertura
SFR9014TF Datasheet Pagina 2 SFR9014TF Datasheet Pagina 3 SFR9014TF Datasheet Pagina 4 SFR9014TF Datasheet Pagina 5 SFR9014TF Datasheet Pagina 6 SFR9014TF Datasheet Pagina 7

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SFR9014TF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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DMP21D0UFD-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

820mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

495mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

490mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

X1-DFN1212-3

Pacchetto / Custodia

3-UDFN

IPU07N03LA

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2653pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

P-TO251-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF2804STRR7PP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 160A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6930pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

SI3127DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta), 13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

89mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

833pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1293pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HSOP

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Venduto di recente

4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

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RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP

CM453232-3R3KL

CM453232-3R3KL

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FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

NL453232T-102J-PF

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FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

7447709680

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FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD

ILHB0805ER601V

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FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

BLM18AG601SN1D

BLM18AG601SN1D

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ECMF02-4CMX8

ECMF02-4CMX8

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COMMON MODE CHOKE 2LN SMD ESD

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

PHV-5R4V155-R

PHV-5R4V155-R

Eaton - Electronics Division

CAP 1.5F -10% +30% 5.4V T/H

C0805C334J4RACTU

C0805C334J4RACTU

KEMET

CAP CER 0.33UF 16V X7R 0805

749196321

749196321

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TRANSFORMER 14.2UH .97A SMD