SI3127DV-T1-GE3
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| Numero parte | SI3127DV-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI3127DV-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 29.604 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI3127DV-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI3127DV-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SI3127DV-T1-GE3, SI3127DV-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 246,53 KB)
  
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SI3127DV-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta), 13A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 89mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 833pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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