RN1908,LF(CT
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| Numero parte | RN1908,LF(CT |
| PNEDA Part # | RN1908-LF-CT |
| Descrizione | NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.622 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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RN1908 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RN1908,LF(CT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
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RN1908 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | * |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Resistenza - Base (R1) | - |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore ES6 |
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