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QS5K2TR

QS5K2TR

Solo per riferimento

Numero parte QS5K2TR
PNEDA Part # QS5K2TR
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.372.938
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

QS5K2TR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteQS5K2TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
QS5K2TR, QS5K2TR Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 55,64 KB)
PDFQS5K2TR Datasheet Copertura
QS5K2TR Datasheet Pagina 2 QS5K2TR Datasheet Pagina 3 QS5K2TR Datasheet Pagina 4

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QS5K2TR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Source
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 10V
Potenza - Max1.25W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Pacchetto dispositivo fornitoreTSMT5

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

VQ1001P

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

FDD8424H_F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 20V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-4L

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

MPT6

APTM50A15FT1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5448pF @ 25V

Potenza - Max

208W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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