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MP6K31TR

MP6K31TR

Solo per riferimento

Numero parte MP6K31TR
PNEDA Part # MP6K31TR
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MP6K31TR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMP6K31TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MP6K31TR, MP6K31TR Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 273,35 KB)
PDFMP6K31TCR Datasheet Copertura
MP6K31TCR Datasheet Pagina 2 MP6K31TCR Datasheet Pagina 3 MP6K31TCR Datasheet Pagina 4 MP6K31TCR Datasheet Pagina 5 MP6K31TCR Datasheet Pagina 6 MP6K31TCR Datasheet Pagina 7

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MP6K31TR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreMPT6

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 5.85mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W, 2.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

HSO8-F3-B

FDMD82100L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 50V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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APTC80H15T3G

Microsemi

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Potenza - Max

277W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

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500mW

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