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PMGD280UN,115

PMGD280UN,115

Solo per riferimento

Numero parte PMGD280UN,115
PNEDA Part # PMGD280UN-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 57.954
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMGD280UN Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMGD280UN,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMGD280UN, PMGD280UN Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 207,81 KB)
PDFPMGD280UN Datasheet Copertura
PMGD280UN Datasheet Pagina 2 PMGD280UN Datasheet Pagina 3 PMGD280UN Datasheet Pagina 4 PMGD280UN Datasheet Pagina 5 PMGD280UN Datasheet Pagina 6 PMGD280UN Datasheet Pagina 7 PMGD280UN Datasheet Pagina 8 PMGD280UN Datasheet Pagina 9 PMGD280UN Datasheet Pagina 10 PMGD280UN Datasheet Pagina 11

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PMGD280UN Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C870mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.89nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds45pF @ 20V
Potenza - Max400mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1286pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2026pF @ 30V

Potenza - Max

2.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1464pF @ 25V

Potenza - Max

1W

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