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IRF7751GTRPBF

IRF7751GTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7751GTRPBF
PNEDA Part # IRF7751GTRPBF
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7751GTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7751GTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7751GTRPBF, IRF7751GTRPBF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 235,56 KB)
PDFIRF7751GTRPBF Datasheet Copertura
IRF7751GTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7751GTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7751GTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7751GTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7751GTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7751GTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7751GTRPBF Datasheet Pagina 8

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  • IRF7751GTRPBF Distributor

IRF7751GTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1464pF @ 25V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 10V

Potenza - Max

56W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 16V

Potenza - Max

940mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

99A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Potenza - Max

781W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.35V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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